Lam Research（LRCX）とは何の会社？エッチング・成膜装置の強みと弱み・リスク — NANDの積層・HBMのTSV・3年連続で市場を上回る成長とPER 75倍を解説

会社概要 — Lam Researchは何をつくる会社か

Lam Research は1980年創業、米カリフォルニア州フリーモントの企業です。

• エッチング装置 — 回路パターンに沿ってウェハーを削る。高アスペクト比（深くて細い穴）の加工で首位級。
• 成膜装置 — 薄膜を積む（ALD・CVD 等）。NAND の積層や配線の形成に使う。
• 洗浄・サービス — 納入装置の保守・改造（設置台数に比例して増える安定収益）。

エッチングと成膜とは — なぜ「積層」で需要が増えるか

半導体は平面に回路を描く時代から、縦に積む時代に入りました。

• NAND フラッシュ — 記憶素子を 100 層、200 層と積み上げ、その全層を貫く深い穴をエッチングで一気に開けます。層が増えるほど穴は深く難しくなり、ウェハー 1 枚あたりの装置需要が増える。会社は 128 層から 500 層超への移行で、1 枚あたりの Lam の対象市場が 2 倍になると説明しています。
• HBM — DRAM を 12〜16 段積み、上下を貫く TSV（シリコン貫通電極）を掘って接続します。この穴あけと埋め込みが Lam の得意工程で、HBM の段数が増えるほど工程が増えます（HBM3E と HBM4 の違い）。
• 先端ロジック（GAA） — ナノシート構造を作るには、選択的に削る・積む工程が増え、ここでも Lam の装置が要ります。

なぜ強いのか — moatの核心は「深く掘る技術」と「NANDの世代転換」

• 高アスペクト比エッチングの首位級 — 何百層を貫く穴を、真っすぐ、均一に、速く開ける技術は蓄積が要り、競合（東京エレクトロン・Applied）との差別化要因です。
• NAND の転換需要 — NAND メーカーは既存工場の装置を新世代に「転換」しており、その額は 400 億ドル規模と会社は説明。転換が終わると次は新規の生産能力が必要になり、需要が続く構図です。
• メモリ寄りのポートフォリオ — HBM・DRAM の投資が優先される局面で、メモリ比率の高さが追い風になります（逆風になる局面もある）。
• サービス収益 — 設置台数の増加とともに、保守・改造の収益が安定的に積み上がります。

弱点とリスク — メモリ市況・中国・倍率

• メモリ市況への感応度 — 顧客がメモリ中心のため、DRAM・NAND の価格が崩れて設備投資が止まると、Lam の受注は装置 3 社の中で最も大きく振れます。2023 年の NAND 不況では大幅減収を経験しました（メモリ市況のサイクル）。
• 中国向けの比率と規制 — 中国のメモリ・成熟ロジック向けが売上の 3〜4 割を占めた時期があり、米国の輸出規制の変更が直接効きます。
• 倍率が最も上がった装置株 — PER は過去中央値の約 3 倍、PSR は約 3.4 倍。「NAND 転換と HBM の需要が数年続く」ことを前提にしています。
• 顧客集中 — Samsung・SK hynix・Micron・TSMC の投資判断に依存。
• 競合 — エッチングでは東京エレクトロン、成膜では Applied Materials と競合。

数字で見る — kabuの実データから

2026年9月時点の kabu データ（SEC EDGAR＋株価から算出。最新は銘柄ページで確認）では、直近四半期の売上は前年比 +30%、粗利率約 52%、営業利益率 37%、純利益率 34%。PER（TTM）は約 75 倍で過去中央値（約 26 倍）の約 3 倍、PSR は約 23 倍（中央値約 7 倍）。株価の 2 年 CAGR（+40%）は売上の CAGR（+11%）を大きく上回り、乖離は同セクター内で高め。ROE が 65% と高いのは自社株買いで自己資本が薄いためでもあります。判定ページで最新値を確認してください。

競合比較 — 装置3社の中での位置

3 社の数値比較は LRCX vs AMAT・AMAT vs KLAC をどうぞ。Lam は「最も伸び、最も振れる」装置株です。